BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS119NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS119NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS308PEH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.11 $0.12
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
パッケージ / ケース PG-SOT23 (SOT-23-3) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (automotive grade)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (3,000 pcs/reel)
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
パッケージ — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead-Free — Yes
MSLレベル — 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼