BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS308PEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,09
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 1.5 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
Boîtier / Format PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Boîtier — SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

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