BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS214NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS308PEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.11 $0.09
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 1.5 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
パッケージ / ケース PG-SOT23 (SOT-23-3) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
パッケージ — SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

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