BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon e BSS214NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS308PEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,09
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 1.5 A (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento / Caixa PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Encapsulamento — SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Fichas técnicas e recursos

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