BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon et BSC015NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,69
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Boîtier PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Nombre de broches — 8
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Fiches techniques et ressources

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