BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon e BSC015NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,69
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Contagem de pinos — 8
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Fichas técnicas e recursos

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