BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ011NE2LS5IATMA1 von Infineon und BSC015NE2LS5IATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,69
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Gehäuse PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Pin-Anzahl — 8
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

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