BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ018NE2LSIATMA1 par Infineon et BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Sans halogène — Yes

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