BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ018NE2LSIATMA1 von Infineon und BSZ011NE2LS5IATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
MSL-Level — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Halogenfrei — Yes

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