BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ018NE2LSIATMA1 por Infineon e BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Nível MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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