BSZ065N03LSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N03LSATMA1 par Infineon et IQDH35N03LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N03LSATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Boîtier / Format | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Boîtier | — | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| Sans halogène | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |