BSZ065N03LSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ065N03LSATMA1 제조: Infineon 및 IQDH35N03LM5CGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ065N03LSATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $1.45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| MSL 레벨 | 1 | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| 패키지 | — | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |