BSZ065N03LSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ065N03LSATMA1 от Infineon и IQDH35N03LM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSZ065N03LSATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,38 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Корпус | — | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| Без галогенов | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |