BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N06LS5ATMA1 par Infineon et BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| Niveau MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |