BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ065N06LS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSZ036NE2LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55C to +150C
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
MSLレベル — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

データシート&リソース

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