BSZ0909NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ0909NSATMA1 par Infineon et BSZ0901NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ0909NSATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,34 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 25V | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 34 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 36 A | — |
| R-DS(on) Max at VGS=10V | 12 mOhm at ID=20A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V at ID=250 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 17 nC at VGS=10V | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.31 nF at VDS=15V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 25 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |