BSZ0909NSATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ0909NSATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ0909NSATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.42 | $0.34 |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 25V | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 34 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 36 A | — |
| R-DS(on) Max at VGS=10V | 12 mOhm at ID=20A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V at ID=250 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 17 nC at VGS=10V | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.31 nF at VDS=15V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 25 W | — |
| 動作接合温度 | -55C to +150C | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| ピン数 | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| 動作温度範囲 | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |