BSZ180P03NS3EGATMA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ180P03NS3EGATMA1 par Infineon et BSZ15DC02KDHXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 - 30V P-Channel OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ180P03NS3EGATMA1 | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,45 | $0,74 |
| Type de transistor | P-Channel MOSFET | N-Channel + P-Channel (complementary pair) |
| Technology | OptiMOS P3 | OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Ta | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - Tc | 39.5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 18 mΩ @ VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (QG) total | [DATA_NEEDED: QG total] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 40 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 20 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 5.1 A |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 3.2 A |
| N-Channel RDS(on) Max | — | [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm] |
| P-Channel RDS(on) Max | — | 55 mOhm (per Infineon part summary) |
| Gate Drive Level | — | Super Logic level, 2.5 V rated |
| Configuration | — | Common drain (back-to-back source pair) |
| Total Package Power Dissipation (PD) | — | 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / RoHS compliant |