C3M0080120D vs IMZ120R080M1H Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de C3M0080120D par Wolfspeed et IMZ120R080M1H par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | C3M0080120D | IMZ120R080M1H |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Manufacturer | Wolfspeed | Infineon Technologies |
| Part Number | C3M0080120D | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET, 3rd generation (C3M) | Silicon Carbide (SiC) trench MOSFET |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 1200 V | — |
| On-Resistance Rds(on) typ | 80 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 36 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 192 W | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs max) | -10 V to +25 V (recommended +15/-3 V) | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | TO-247-3 (through-hole, 3 leads + tab) | PG-TO247-4 |
| Type de montage | Through Hole | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Body Diode | Intrinsic, zero reverse recovery (Qrr) | — |
| Product Family | — | CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 1200 V |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 80 mOhm at Tj = 25 C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4.5 V (benchmark) |
| Turn-Off Gate Voltage | — | 0 V |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Style de montage | — | Through Hole |
| Robust Body Diode | — | Yes, supports hard commutation |
| Threshold-free On-state | — | Yes |
| Switching Losses | — | Very low (per datasheet) |
| Recommended Operating Margin | — | <= 80% of maximum ratings |
| RoHS | — | Compliant (per Mouser listing) |