EP3C40F780C7 vs EP3C40F780I8N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP3C40F780C7 par Intel et EP3C40F780I8N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP3C40F780C7 | EP3C40F780I8N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $139,50 | $192,00 |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements (LE) | 39,600 | — |
| Number of Logic Cells | 39,600 | — |
| Total Memory Bits | 1,161,216 bits | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 126 | — |
| Number of PLLs | 4 | 4 |
| User I/O Count | 535 | — |
| I/O Banks | 8 | 20 |
| Boîtier | 780-ball FBGA (F780) | 780-ball FBGA (F780) |
| Package Dimensions | 29 x 29 mm | — |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V to 3.3 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (Commercial) | — |
| Speed Grade | C7 | — |
| Process Technology | 60 nm TSMC low-power CMOS | TSMC 65 nm low-power CMOS |
| Configuration | Active Serial / Passive Parallel (JTAG) | — |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | 3 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Device Logic Elements | — | 39,600 |
| Logic Array Blocks (LABs/CLBs) | — | 2,475 |
| Embedded Memory (bits) | — | 1,161,216 |
| Embedded Memory (Kbits) | — | 1,134 |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 126 |
| User I/O Pins | — | 535 |
| Nominal Core Supply Voltage | — | 1.2 V (1.15 V to 1.25 V) |
| Package Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial (-40 °C to +100 °C junction) |
| Configuration Modes | — | Passive Serial, Active Serial (EPCS), JTAG, Fast Passive Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount (BGA) |