EP3SE110F780I4N vs EP3SE50F780I3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE110F780I4N par Intel et EP3SE50F780I3G par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE110F780I4N EP3SE50F780I3G
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 850,00 $1 082,02
Manufacturer Intel (formerly Altera) —
Series Stratix III E —
Logic Elements 107,500 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 bits —
Number of LABs/CLBs 4300 —
Number of Logic Elements / Cells 107500 —
Number of I/O 488 —
Boîtier 780-ball FCBGA (FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (F780) 29x29 mm
Package Code (JEDEC) BGA, 780 pins —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement -40C to +100C (industrial) -40C to +100C (Industrial, I3)
Speed Grade 4 3
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal] —
Process Node 40 nm —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Lead Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Family — Stratix III E
Logic Elements (LE) — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALM) — 19,000
Embedded Memory — 8.7 Mbits (M9K + M144K blocks)
DSP Blocks — 264 (18x18 multipliers)
Maximum User I/O Pins — 488
Transceivers — 12 channels, up to 3.75 Gbps
Core Voltage — 1.1 V
Process Technology — TSMC 40 nm
Memory Interfaces — DDR3 up to 800 MHz, DDR2, QDR II+ SRAM
PCI Express Hard IP — Gen1 x1/x4/x8
Niveau MSL — 3
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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