EP3SL50F780C4LN vs EP3SE50F780C4LN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SL50F780C4LN par Intel et EP3SE50F780C4LN par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SL50F780C4LN EP3SE50F780C4LN
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $615,00 $650,00
Series Stratix III L —
Family Stratix III L (Low-Power) Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Logic Array Blocks (LAB) 1,900 —
Total RAM Bits 2,184,192 —
User I/O Pins 488 —
Boîtier 780-BBGA, FCBGA (29x29 mm) 780-ball FC-FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 65 nm —
Core Voltage (VCCINT) 0.86 V to 1.15 V —
Température de fonctionnement 0C to +85C (Commercial) 0°C to 85°C (Commercial)
Speed Grade C4 C4
Lead-Free / RoHS Yes (LN suffix indicates lead-free, enhanced) Yes (L suffix)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of integrated transceivers for F780 package] —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count for EP3SL50] Yes (embedded multipliers)
Configuration SRAM-based, configured via Quartus II —
Logic Elements — 47,500
LABs (Logic Array Blocks) — 1,900
Embedded Memory — 5,760,000 bits
User I/Os — 488
Process Node — 65 nm
Core Voltage — 0.9 V
Maximum Toggle Frequency — 375 MHz
Configuration Modes — Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG
Block RAM Type — M9K + M144K
Memory Architecture — SRAM-based, reprogrammable
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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