EP3SL50F780C4LN vs EP3SE50F780C4LN 비교

다음의 상세 나란히 비교: EP3SL50F780C4LN 제조: Intel 및 EP3SE50F780C4LN 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 EP3SL50F780C4LN EP3SE50F780C4LN
브랜드 Intel Intel
카테고리 FPGA & CPLD FPGA & CPLD
수명 주기 상태 NRND 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $615.00 $650.00
Series Stratix III L —
Family Stratix III L (Low-Power) Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Logic Array Blocks (LAB) 1,900 —
Total RAM Bits 2,184,192 —
User I/O Pins 488 —
패키지 780-BBGA, FCBGA (29x29 mm) 780-ball FC-FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 65 nm —
Core Voltage (VCCINT) 0.86 V to 1.15 V —
동작 온도 0C to +85C (Commercial) 0°C to 85°C (Commercial)
Speed Grade C4 C4
Lead-Free / RoHS Yes (LN suffix indicates lead-free, enhanced) Yes (L suffix)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of integrated transceivers for F780 package] —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count for EP3SL50] Yes (embedded multipliers)
Configuration SRAM-based, configured via Quartus II —
Logic Elements — 47,500
LABs (Logic Array Blocks) — 1,900
Embedded Memory — 5,760,000 bits
User I/Os — 488
Process Node — 65 nm
Core Voltage — 0.9 V
Maximum Toggle Frequency — 375 MHz
Configuration Modes — Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG
Block RAM Type — M9K + M144K
Memory Architecture — SRAM-based, reprogrammable
RoHS 상태 — Compliant

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