EP3SL50F780C4LN vs EP3SE50F780C4LN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de EP3SL50F780C4LN por Intel e EP3SE50F780C4LN por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro EP3SL50F780C4LN EP3SE50F780C4LN
Marca Intel Intel
Categoria FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $615,00 $650,00
Series Stratix III L —
Family Stratix III L (Low-Power) Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Logic Array Blocks (LAB) 1,900 —
Total RAM Bits 2,184,192 —
User I/O Pins 488 —
Encapsulamento 780-BBGA, FCBGA (29x29 mm) 780-ball FC-FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 65 nm —
Core Voltage (VCCINT) 0.86 V to 1.15 V —
Temperatura de operação 0C to +85C (Commercial) 0°C to 85°C (Commercial)
Speed Grade C4 C4
Lead-Free / RoHS Yes (LN suffix indicates lead-free, enhanced) Yes (L suffix)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of integrated transceivers for F780 package] —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count for EP3SL50] Yes (embedded multipliers)
Configuration SRAM-based, configured via Quartus II —
Logic Elements — 47,500
LABs (Logic Array Blocks) — 1,900
Embedded Memory — 5,760,000 bits
User I/Os — 488
Process Node — 65 nm
Core Voltage — 0.9 V
Maximum Toggle Frequency — 375 MHz
Configuration Modes — Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG
Block RAM Type — M9K + M144K
Memory Architecture — SRAM-based, reprogrammable
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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