EP4CE55F23I7N vs EP4CE55F23C9L Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE55F23I7N par Intel et EP4CE55F23C9L par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP4CE55F23I7N | EP4CE55F23C9L |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $130,40 | $76,73 |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements | 55,856 | — |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 3,491 | — |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits | 2,396,160 bits (2.5 Mbit) |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | 156 |
| PLLs | 4 | 4 |
| Maximum User I/O | 324 | — |
| Boîtier | 484-ball FBGA (23x23 mm, 1.0 mm pitch) | 484-ball FBGA (F23) |
| Process Technology | TSMC 60 nm low-power | — |
| Core Voltage | 1.2 V | 1.2 V (typical) |
| Température de fonctionnement | -40C to +100C (industrial, I7 grade) | -40C to +85C (industrial) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (lead-free finish) | — |
| Configuration Modes | JTAG, AS, PS, FPP | — |
| Memory Interface Support | DDR, DDR2, QDRII | — |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | — | 55,856 |
| User I/Os | — | 324 |
| Speed Grade | — | C9 (fastest commercial/industrial) |
| Process Node | — | 60 nm low-power |
| Configuration Method | — | SRAM-based, requires external flash |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Hard PCIe Blocks | — | 0 (soft PCIe via fabric) |