EP4CE6E22C6 vs EP4CE6E22C6N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE6E22C6 par Intel et EP4CE6E22C6N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP4CE6E22C6 | EP4CE6E22C6N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,05 | $11,20 |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Device Logic Elements | 6,272 LE | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 392 LABs | [DATA_NEEDED: LAB count] |
| Total RAM Bits | 270 Kbit | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 15 | 15 |
| PLLs | 2 | 2 |
| Maximum User I/Os | 91 | 91 |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Speed Grade | C6 | — |
| Température de fonctionnement | 0 °C to +85 °C (Commercial) | -40 C to +85 C (industrial, C6 speed grade) |
| Package Type | 144-pin EQFP (Enhanced QFP, exposed pad) | — |
| Package Dimensions | 22 mm × 22 mm | — |
| Lead Pitch | 0.5 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | TSMC 60 nm low-k | 60 nm |
| Configuration Method | SRAM-based (volatile); JTAG, Active Serial, Passive Serial | — |
| Statut RoHS | Compliant | Lead-Free / Compliant |
| Device | — | EP4CE6 |
| Logic Elements (LEs) | — | 6,272 |
| Embedded Memory (M9K blocks) | — | [DATA_NEEDED: M9K block count] |
| Embedded Memory (Bits) | — | 270 Kbits |
| Global Clock Networks | — | 10 |
| I/O Banks | — | 4 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V |
| Configuration Modes | — | JTAG, AS (Active Serial), PS (Passive Serial) |
| Boîtier | — | 144-pin EQFP (Plastic Enhanced QFP, 22 x 22 mm, 0.5 mm pitch) |
| Lead-Free | — | Yes |