EPF10K250EBC600-3 vs EPF10K250EBC600-1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K250EBC600-3 par Intel et EPF10K250EBC600-1 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EPF10K250EBC600-3 | EPF10K250EBC600-1 |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $205,00 | $155,00 |
| Family | FLEX 10KE | FLEX 10KE |
| Logic Elements | 12,160 LEs | 12,160 |
| Typical Gates | 250,000 | 250,000 |
| Maximum User I/O | 470 | — |
| Embedded Array Blocks (EABs) | 12 (each 2 Kbits) | 6 |
| Total Embedded Memory | 24 Kbits (RAM) | — |
| PLLs (Phase-Locked Loops) | 4 | — |
| Dedicated Clock Inputs | 6 | — |
| Speed Grade | -3 | -1 |
| Core Supply Voltage | 3.3 V | — |
| I/O Supply Voltage | 3.3 V (5 V tolerant) | — |
| Boîtier | 600-ball FineLine BGA | 600-BGA FineLine BGA |
| Configuration Mode | Passive Serial / Passive Parallel / JTAG | — |
| Boundary Scan | IEEE 1149.1 (JTAG) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +70°C (Commercial) |
| Process Technology | SRAM-based CMOS | 0.22 µm SRAM |
| Manufacturer | — | Intel / Altera |
| Usable Gates | — | 110,000 |
| Maximum RAM Bits | — | 40,960 |
| Number of PLLs | — | 6 |
| Core Voltage | — | 5.0 V |
| Configuration Method | — | JTAG / ByteBlaster / EPC-series PROM |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programmable I/O Voltage | — | 3.3 V / 5.0 V (MultiVolt I/O) |