EPF10K250EGC599-1 vs EPF10K200EGC599-3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K250EGC599-1 par Intel et EPF10K200EGC599-3 par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Altera
EPF10K200EGC599-3 - FLEX 10KE 200K FPGA, 599-BCPGA | Altera
EPF10K200EGC599-3 ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | EPF10K250EGC599-1 | EPF10K200EGC599-3 |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Altera |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | NRND | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $162,00 | $39,20 |
| Product Type | FPGA (Field-Programmable Gate Array) | — |
| Series | FLEX 10K | FLEX-10KE |
| Logic Elements | 40,960 | 9984 |
| Equivalent Gates | 250,000 | — |
| Flip-Flops | 12,160 | — |
| User I/O Pins | 470 | — |
| Embedded Array Blocks (EAB) | 20 (2 Kbit each) | — |
| Boîtier | 599-BPGA / HIPGA-599 (Ceramic Pin Grid Array) | 599-BCPGA (62.48 x 62.48 mm) |
| Nombre de broches | 599 | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +70C (Commercial) | — |
| Type de montage | Through-Hole (PGA) | Through Hole (Pin/Peg) |
| Configuration | SRAM (volatile), serial/parallel EPROM | — |
| Process Node | 0.42 µm CMOS | — |
| I/O Standard Support | 5.0 V PCI, LVTTL, LVCMOS | — |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1), passive serial | JTAG (IEEE 1149.1) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Statut RoHS | unknown (ceramic HIPGA package historically non-RoHS) | — |
| Manufacturer | — | Altera (Intel) |
| Family | — | FLEX 10KE |
| Device Type | — | FPGA (Field Programmable Gate Array) |
| System Gates | — | 200000 (approx.) |
| Total RAM Bits | — | 98304 |
| Maximum User I/O | — | 470 |
| Number of Terminals | — | 599 |
| Package Code | — | PGA (Ceramic Pin Grid Array) |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial |
| Core Supply Voltage | — | 2.375 V to 2.625 V (typical 2.5 V) |
| Process Technology | — | 0.22 µm SRAM CMOS |
| Maximum Frequency | — | 166.67 MHz |
| Speed Grade | — | -3 (0.8 ns) |
| Propagation Delay | — | 0.8 ns |
| Configuration Memory | — | SRAM-based (volatile) |