EPF8282ATC100-3 vs EPF8282ATI100-3S Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF8282ATC100-3 par Intel et EPF8282ATI100-3S par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF8282ATC100-3 EPF8282ATI100-3S
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $10,25 $14,50
Family FLEX 8000 FLEX 8000
Logic Cells (LEs) 208 —
Usable Gates 2,500 —
Typical Gates Equivalent 12,000 —
Maximum User I/O 78 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) 26 —
Embedded Array Blocks (EABs) 6 —
Total RAM Bits 12 Kbits [DATA_NEEDED: embedded RAM bits]
Process Technology 0.42 micron CMOS SRAM CMOS
Supply Voltage (Core) 5 V —
MultiVolt I/O Support 3.3 V / 5 V —
Maximum Frequency 125 MHz —
Speed Grade -3 -3
Boîtier 100-pin TQFP (100-TQFP) —
Configuration Method SRAM, EPC1/EPC1064/EPC1213/EPC1441, microprocessor —
Operating Temperature (Commercial) 0 C to +70 C —
In-Circuit Reconfigurable Yes (ICR) —
Boundary Scan JTAG IEEE 1149.1 IEEE 1149.1 (JTAG)
Device Logic Elements / Cells — 208
Number of LABs/CLBs — 26
Number of Logic Elements / Cells — 208
Number of I/O — 78
Number of Gates — 2500
Voltage - Supply — 5 V
Température de fonctionnement — -40C to +85C (industrial, I grade)
Type de montage — Surface Mount
Boîtier / Format — 100-TQFP
Supplier Device Package — 100-TQFP
Maximum Toggle Frequency — 125 MHz
Architecture — SRAM-based, in-circuit reconfigurable (ICR)
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]

Fiches techniques et ressources

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