H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $2,25 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Type d'interface | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | Self-refresh and auto-refresh support |
| Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Débit de données | — | 2400 MT/s |
| Interface | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |