H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC2400) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Boîtier | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | SK hynix |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto-refresh and self-refresh |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |