H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-RDC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,18 | $2,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (PC2400) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Напряжение питания | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Корпус | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Статус RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | SK hynix |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto-refresh and self-refresh |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |