H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.18 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2400 Mbps (PC2400) [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
電源電圧 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
インターフェース DDR4 (JEDEC) DDR4 (Double Data Rate IV)
パッケージ TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
RoHS ステータス Compliant (Rohs Code: Yes) Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. SK hynix
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] Auto-refresh and self-refresh
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

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