H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | — |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 SSTL12 |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (VDD) |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |