H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHCR 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-UHCR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHCR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.25 $3.18
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Grade Industrial (-UHI suffix) —
データレート 2400 MT/s —
インターフェース JEDEC DDR4 SDRAM DDR4 SSTL12
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Termination On-die termination (ODT) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
電源電圧 — 1.2 V (VDD)
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel

データシート&リソース

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