H5AN4G8NBJR-UHI vs MT40A512M8RH-083E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et MT40A512M8RH-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | MT40A512M8RH-083E |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $3,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | — |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Industry Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Clock Rate | — | 1.2 GHz |
| Internal Banks | — | 8 banks (2 groups of 4) |
| Prefetch | — | 8n-bit |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| I/O Structure | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal, adjustable generation |
| FBGA Code | — | D9TGG |
| Marking Code | — | D9TGG |
| Data Strobe Preamble | — | Programmable |