H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $19,69
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Boîtier FBGA-96 (96-ball) —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet)
Memory Density — 8 Gb (8589934592 bit)
Technology — CMOS
Package Code — TFBGA (PBGA96)
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
Data Rate Family — [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps]
Supply Voltage Class — [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin]
Data Mask Function — Yes
CRC — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

Fiches techniques et ressources

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