H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $19.69
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
공급 전압 1.2 V —
패키지 FBGA-96 (96-ball) —
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
동작 온도 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet)
Memory Density — 8 Gb (8589934592 bit)
Technology — CMOS
Package Code — TFBGA (PBGA96)
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
Data Rate Family — [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps]
Supply Voltage Class — [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin]
Data Mask Function — Yes
CRC — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

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