H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-RDC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $19,69
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-96 (96-ball) —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de operação 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet)
Memory Density — 8 Gb (8589934592 bit)
Technology — CMOS
Package Code — TFBGA (PBGA96)
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
Data Rate Family — [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps]
Supply Voltage Class — [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin]
Data Mask Function — Yes
CRC — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

Fichas técnicas e recursos

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