H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix et AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $55,68 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Tension d'alimentation | — | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Interface | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Lead Free | — | Yes |