H5AN8G6NDJR vs K4A8G085WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et K4A8G085WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | 78 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B78 |
| RoHS | Compliant | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |