H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,45 $12,96
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Taille de mémoire — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Débit de données — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Interface — Parallel
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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