H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NBJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN4G6NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.45 $12.96
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
電源電圧 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
パッケージ FBGA-96 FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
メモリ構成 [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
メモリサイズ — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
データレート — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
インターフェース — Parallel
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Packaging — Tray

データシート&リソース

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