H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,45 $12,96
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organização da memória [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Tamanho da memória — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Taxa de dados — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Interface — Parallel
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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