H5ANAG6NCJR-XN vs MT40A1G16TD-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix et MT40A1G16TD-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCJR-XN MT40A1G16TD-062E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $71,20 $18,41
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit (1G x 16) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Débit de données 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Boîtier FBGA-96 (96-ball) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Package Width 8 mm —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Write Leveling Yes —
Maximum Standby Current 0.074 A (per Vyrian listing) —
Statut RoHS Compliant —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] TC maximum up to 95 C
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] —
Taille de mémoire — 16 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Interface — POD12 (1.2V pseudo open-drain)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Bank Architecture — 8 banks (x16 configuration)
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Refresh — 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C
Speed Grade — -062E
Product Line Suffix — AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog)

Fiches techniques et ressources

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