H5ANAG6NCJR-XN vs MT40A1G16TD-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCJR-XN 제조: SK hynix 및 MT40A1G16TD-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCJR-XN | MT40A1G16TD-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $71.20 | $18.41 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 1G x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 (96-ball) | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) |
| Package Width | 8 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | TC maximum up to 95 C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| 인터페이스 | — | POD12 (1.2V pseudo open-drain) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Bank Architecture | — | 8 banks (x16 configuration) |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Refresh | — | 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C |
| Speed Grade | — | -062E |
| Product Line Suffix | — | AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) |