H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $70,20 $9,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 16 Gb
Organisation de la mémoire x16 (1G x 16) —
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Boîtier FBGA-96 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Number of Terminals 96 balls —
Température de fonctionnement 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Memory Organization — 16Gb x16
Débit de données — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

Fiches techniques et ressources

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