H5ANAG8NBJR-PBC vs K4A8G085WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix et K4A8G085WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NBJR-PBC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $31,50 | $13,78 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | x8 | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | PBC suffix, DDR4-2666 class | — |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | 16 banks (4 bank groups) |
| Prefetch | 8n | — |
| Type d'interface | Parallel, SSTL12 | SSTL-12 |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS Latency (typical bin) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes | — |
| Die Revision | BJR | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard quantity] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (nominal) |
| Débit de données | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |