H5ANAG8NBJR-PBC vs K4A8G085WB-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NBJR-PBC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $31.50 | $13.78 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | x8 | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | PBC suffix, DDR4-2666 class | — |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | 16 banks (4 bank groups) |
| Prefetch | 8n | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel, SSTL12 | SSTL-12 |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS Latency (typical bin) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes | — |
| Die Revision | BJR | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard quantity] | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (nominal) |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |