H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,60 $3,55
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Boîtier FBGA-78 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Statut RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant (lead-free PBGA per family product data)
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Interface — SSTL12
Speed Grade (suffix R) — DDR4-2666 class
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet)
Bank Groups — 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet)
Data Strobe — DQS with read/write training
Data Bus Inversion — Supported (DBI)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

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